排列五
    

日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉換效率

日本名城大學和名古屋大學的研究人員已經生產了低阻值的n型氮化鋁稼(n-AlGaN)。通過將n-AlGaN作為紫外LED的一部分,研究人員成功將電光轉換效率(wall-plug efficiency )提升了15%左右。

  這種低阻值的n-AlGaN采用MOVPE在藍寶石上制作,外延生長先采用低溫緩沖層,然后是3μm的隨機摻雜GaN層。甲硅烷作為氮化鋁稼低阻值層的硅摻雜源。

  該390nm的紫光LED采用了類似的2μm n-AlGaN樣本作為基底進行生產圖1)。有源發光多量子阱(MQW)包含了三對2.7nm的GaInN阱和12nm的 AlGaN障礙層。LED p層為20nm的AlGaN電子阻擋層(electron-blocking、100nm的AlGaN電鍍層(cladding )和10nm的GaN觸點層。

 日本研究低阻值的n-AlGaN 可提升15%電光轉換效率 

圖 1: 紫光LED原理架構

  該LED工藝包括在空氣中進行10分鐘的800℃退火以激活p型層,電感耦合等離子臺面蝕刻以及n型電極金屬沉積、p型氮化鎵電觸上鎳金半透明電極沉積以及p型墊片電極沉積。該器件尺寸為350μm x 350μm。

  研究人員發現,在AlGaN添加小量鋁可實現更高水平的硅摻雜,從而實現無損晶體架構。純GaN的硅摻雜被限于1x1019/cm3左右,不然材料表面會變得粗糙。通過對比,AlGaN層是平滑的。無可見龜裂,即使在4x1020/cm3進行摻雜。

  n-AlGaN的使用可實現5.9x10-4/Ω-cm的阻值。德國研究人員可實現的低阻值n-GaN為6.3x10-4Ω-cm。日本的n-AlGaN更低。

  研究人員也對比了采用了兩種不同硅摻雜的n-AlGaN觸點層LED,載流子濃度分別為1x1019/cm3和1.6x1020/cm3。較高硅摻雜這一減少的阻值在既定電流下,可降低前向電壓,這意味著可實現光效更高。在100mA驅動電流下,減少的前向電壓為1V左右。

  既定驅動電流下的光輸出也明顯提升,在較高電流下還可提升5%。紫光LED電光轉換效率提升幅度大概為15% 。

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點擊次數:  更新時間:2014-04-02 14:42:37  【打印此頁】  【關閉
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